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Ieee Transactions On Device And Materials Reliability
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Ieee Transactions On Device And Materials Reliability SCIE

IEEE Transactions on Device and Materials Reliability雜志

中科院分區:3區 JCR分區:Q2 預計審稿周期: 較慢,6-12周

《Ieee Transactions On Device And Materials Reliability》是一本由Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc.出版商出版的工程技術國際刊物,國際簡稱為IEEE T DEVICE MAT RE,中文名稱IEEE Transactions on Device and Materials Reliability。該刊創刊于2001年,出版周期為Quarterly。 《Ieee Transactions On Device And Materials Reliability》2023年影響因子為2.5,被收錄于國際知名權威數據庫SCIE。

ISSN:1530-4388
研究方向:工程技術-工程:電子與電氣
是否預警:否
E-ISSN:1558-2574
出版地區:UNITED STATES
Gold OA文章占比:24.52%
語言:English
是否OA:未開放
OA被引用占比:0
出版商:Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc.
出版周期:Quarterly
影響因子:2.5
創刊時間:2001
年發文量:72
雜志簡介 中科院分區 JCR分區 CiteScore 發文統計 通訊方式 相關雜志 期刊導航

Ieee Transactions On Device And Materials Reliability 雜志簡介

《Ieee Transactions On Device And Materials Reliability》重點專注發布工程技術-工程:電子與電氣領域的新研究,旨在促進和傳播該領域相關的新技術和新知識。鼓勵該領域研究者詳細地發表他們的高質量實驗研究和理論結果。該雜志創刊至今,在工程技術-工程:電子與電氣領域,有較高影響力,對來稿文章質量要求較高,稿件投稿過審難度較大。歡迎廣大同領域研究者投稿該雜志。

Ieee Transactions On Device And Materials Reliability 雜志中科院分區

中科院SCI分區數據
中科院SCI期刊分區(2023年12月升級版)
大類學科 分區 小類學科 分區 Top期刊 綜述期刊
工程技術 3區 ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:電子與電氣 PHYSICS, APPLIED 物理:應用 3區 3區
中科院SCI期刊分區(2022年12月升級版)
大類學科 分區 小類學科 分區 Top期刊 綜述期刊
工程技術 3區 ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:電子與電氣 PHYSICS, APPLIED 物理:應用 3區 3區
中科院SCI期刊分區(2021年12月舊的升級版)
大類學科 分區 小類學科 分區 Top期刊 綜述期刊
工程技術 3區 ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:電子與電氣 PHYSICS, APPLIED 物理:應用 3區 3區
中科院SCI期刊分區(2021年12月基礎版)
大類學科 分區 小類學科 分區 Top期刊 綜述期刊
工程技術 4區 ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:電子與電氣 PHYSICS, APPLIED 物理:應用 4區 4區
中科院SCI期刊分區(2021年12月升級版)
大類學科 分區 小類學科 分區 Top期刊 綜述期刊
工程技術 3區 ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:電子與電氣 PHYSICS, APPLIED 物理:應用 3區 3區
中科院SCI期刊分區(2020年12月舊的升級版)
大類學科 分區 小類學科 分區 Top期刊 綜述期刊
工程技術 3區 PHYSICS, APPLIED 物理:應用 ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:電子與電氣 3區 4區
中科院分區趨勢圖
影響因子趨勢圖

中科院JCR分區:中科院JCR期刊分區(又稱分區表、分區數據)是中國科學院文獻情報中心世界科學前沿分析中心的科學研究成果,是衡量學術期刊影響力的一個重要指標,一般而言,發表在1區和2區的SCI論文,通常被認為是該學科領域的比較重要的成果。

影響因子:是湯森路透(Thomson Reuters)出品的期刊引證報告(Journal Citation Reports,JCR)中的一項數據,現已成為國際上通用的期刊評價指標,不僅是一種測度期刊有用性和顯示度的指標,而且也是測度期刊的學術水平,乃至論文質量的重要指標。

Ieee Transactions On Device And Materials Reliability 雜志JCR分區

Web of Science 數據庫(2023-2024年最新版)
按JIF指標學科分區 收錄子集 分區 排名 百分位
學科:ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC SCIE Q2 165 / 352

53.3%

學科:PHYSICS, APPLIED SCIE Q2 87 / 179

51.7%

按JCI指標學科分區 收錄子集 分區 排名 百分位
學科:ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC SCIE Q3 186 / 354

47.6%

學科:PHYSICS, APPLIED SCIE Q3 99 / 179

44.97%

Ieee Transactions On Device And Materials Reliability CiteScore 評價數據(2024年最新版)

  • CiteScore:4.8
  • SJR:0.436
  • SNIP:1.148

CiteScore 排名

學科類別 分區 排名 百分位
大類:Engineering 小類:Safety, Risk, Reliability and Quality Q2 65 / 207

68%

大類:Engineering 小類:Electrical and Electronic Engineering Q2 274 / 797

65%

大類:Engineering 小類:Electronic, Optical and Magnetic Materials Q2 103 / 284

63%

CiteScore趨勢圖
年發文量趨勢圖

CiteScore:是由Elsevier2016年發布的一個評價學術期刊質量的指標,該指標是指期刊發表的單篇文章平均被引用次數。CiteScore和影響因子的作用是一樣的,都是可以體現期刊質量的重要指標,給選刊的作者了解期刊水平提供幫助。

Ieee Transactions On Device And Materials Reliability 雜志發文統計

文章名稱引用次數

  • A First-Principles Study of the SF6 Decomposed Products Adsorbed Over Defective WS2 Monolayer as Promising Gas Sensing Device23
  • Understanding BTI in SiC MOSFETs and Its Impact on Circuit Operation9
  • Comparative Thermal and Structural Characterization of Sintered Nano-Silver and High-Lead Solder Die Attachments During Power Cycling9
  • Output-Power Enhancement for Hot Spotted Polycrystalline Photovoltaic Solar Cells8
  • Rapid Solder Interconnect Fatigue Life Test Methodology for Predicting Thermomechanical Reliability7
  • Study of Long Term Drift of Aluminum Oxide Thin Film Capacitive Moisture Sensor7
  • Impacts of Process and Temperature Variations on the Crosstalk Effects in Sub-10 nm Multilayer Graphene Nanoribbon Interconnects6
  • Comparative Study of Reliability of Ferroelectric and Anti-Ferroelectric Memories6
  • A Compact and Self-Isolated Dual-Directional Silicon Controlled Rectifier (SCR) for ESD Applications6
  • A Review on Hot-Carrier-Induced Degradation of Lateral DMOS Transistor6

國家/地區發文量

  • USA52
  • CHINA MAINLAND51
  • India50
  • Taiwan35
  • France20
  • Italy18
  • Belgium15
  • Austria14
  • Japan13
  • GERMANY (FED REP GER)12

機構發文發文量

  • INDIAN INSTITUTE OF TECHNOLOGY SYSTEM (IIT SYSTEM)23
  • IMEC15
  • CENTRE NATIONAL DE LA RECHERCHE SCIENTIFIQUE (CNRS)14
  • STMICROELECTRONICS10
  • TECHNISCHE UNIVERSITAT WIEN9
  • NATIONAL TSING HUA UNIVERSITY8
  • NATIONAL YANG MING CHIAO TUNG UNIVERSITY8
  • COMMUNAUTE UNIVERSITE GRENOBLE ALPES7
  • GLOBALFOUNDRIES7
  • CHINESE ACADEMY OF SCIENCES6

Ieee Transactions On Device And Materials Reliability 雜志社通訊方式

《Ieee Transactions On Device And Materials Reliability》雜志通訊方式為:IEEE-INST ELECTRICAL ELECTRONICS ENGINEERS INC, 445 HOES LANE, PISCATAWAY, USA, NJ, 08855-4141。詳細征稿細則請查閱雜志社征稿要求。本站可提供SCI投稿輔導服務,SCI檢索,確保稿件信息安全保密,合乎學術規范,詳情請咨詢客服。

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