根據(jù)最新信息《Ieee Transactions On Device And Materials Reliability》期刊在JCR分區(qū)中的排名如下：
按JIF指標(biāo)學(xué)科分區(qū)學(xué)科為ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC，收錄子集：SCIE，位于Q2區(qū)，排名165 / 352，百分位53.3%；PHYSICS, APPLIED，收錄子集：SCIE，位于Q2區(qū)，排名87 / 179，百分位51.7%；按JCI指標(biāo)學(xué)科分區(qū)在學(xué)科為ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC，收錄子集：SCIE，位于Q3區(qū)，排名186 / 354，百分位47.6%PHYSICS, APPLIED，收錄子集：SCIE，位于Q3區(qū)，排名99 / 179，百分位44.97%。
投稿咨詢| 按JIF指標(biāo)學(xué)科分區(qū) | 收錄子集 | 分區(qū) | 排名 | 百分位 |
| 學(xué)科：ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC | SCIE | Q2 | 165 / 352 |
53.3% |
| 學(xué)科：PHYSICS, APPLIED | SCIE | Q2 | 87 / 179 |
51.7% |
| 按JCI指標(biāo)學(xué)科分區(qū) | 收錄子集 | 分區(qū) | 排名 | 百分位 |
| 學(xué)科：ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC | SCIE | Q3 | 186 / 354 |
47.6% |
| 學(xué)科：PHYSICS, APPLIED | SCIE | Q3 | 99 / 179 |
44.97% |
這表明該刊在工程：電子與電氣領(lǐng)域具有較高的學(xué)術(shù)影響力和認(rèn)可度。此外，該刊創(chuàng)刊時(shí)間：2001年，影響因子：2.5，出版周期：Quarterly、出版商：Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc.以及收錄情況等信息也為其學(xué)術(shù)影響力提供了有力支持。
影響因子：是湯森路透(Thomson Reuters)出品的期刊引證報(bào)告(Journal Citation Reports,JCR)中的一項(xiàng)數(shù)據(jù)，現(xiàn)已成為國際上通用的期刊評(píng)價(jià)指標(biāo)，不僅是一種測度期刊有用性和顯示度的指標(biāo)，而且也是測度期刊的學(xué)術(shù)水平，乃至論文質(zhì)量的重要指標(biāo)。
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